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混频器
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混频器
HG123HB
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无源双平衡混频器
关键指标
RF频率:2 ~ 4GHz
LO频率:2 ~ 4GHz
IF频率:0 ~ 2GHz
本振功率:13dBm
变频损耗:8dB
LO-RF ISO:34dB
产品详情
HG123HB
是一款无源双平衡混频器芯片,
采用
GaAs pHEMT
工艺制作,射频和本振频率为
2
~
4GHz
,中频频率
为
DC
~
2GHz
,变频损耗为
8dB
。
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HG125H-1
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